圖13,11總結了MEE「隨著熱點兩條不相容邊緣之間的CD距離變化而變化的曲線。SAA7111AHZ這個圖指出當CD距離小于100nm,就會產生OPC不相容邊緣。而對于這種熱點圖形的距離上的約束條件就會成為DFM巾M1層進行光刻友好設計的準則。通過后OPC驗證的熱點MEEF分析,我們發現存在一些客戶設計的關鍵層中存在著OPC不相容邊界的圖形。而且ΘPC不相容邊界能通過計算OPC前和OPC后的MEEF檢測出來。我們提出并驗證了OP(l不相容邊界圖形的檢測方法,這個方法被應用到實際的生產屮用來過濾掉那些來白后OPC驗證的對工藝波動敏感的熱點。隨著積累檢測到的OPC不相容邊界熱點圖形到一個圖形庫中,一個采用圖形搜索技術的快速圖形篩選方法有可能應用到新的設計中,在進行ΘPC之前用來檢測并修正OP(l不相容邊界圖形c現在提出的MEE分析方法可以很容易地用到其他的應用領域,例如,多種OPC比較、(FC熱點修正驗證、(,PC熱點檢測和掩模制造T藝的跟蹤等。我們會把這個工作流程擴展到其他的應用巾去。這個MEEF分析方法。J以對一個已知熱點做系統化的研究,同時在現有方法的基礎L.采用另外一種方式建立D「M規則。這會使得DFM規則更加完備。