半導體器件構成的儲存器有動態隨機儲存器(DRAM),靜態隨機儲存器(sRAM),閃存(Flash)等。 TC75S55F儲存器測試的流程通常有圓片測試(wafer sort,W/S),激光修復(laserrepair J'/R),老化(burl△in,B/I),終測(final test,F/T)等。圓片測試有時叉稱為芯片針測(chip probing)。儲存器構造的特點是電路單元規律重復,管腳少,生產量很大。囚為儲存器的功能是數據儲存,所以測試的日的就是測試它的數據儲存功能。測試方法簡單地說就是把數據寫人,再讀出與原數據做比對;如果相同則功能通過.否則即失效。儲存器的每一儲存晶胞單元(cell)是由兩個地址作定位.分別是X.和Yc習慣上我們用棋盤方格來表示。

   現今的儲存器測試要求大量平行測試(parallel test),一次測試256顆芯片,甚至512顆。測試頻率可以達到數GHz。這需要昂貴的測試設備。