如圖1-4所示的前端工藝的主要加工步驟包括氧化、光刻、刻蝕、離子注入和金屬化。氧化A416316BS-35/Q是將s⒑2覆蓋整個晶圓表面,目的是在許多器件結構里起絕緣層作用。

   光刻技術用來確定PN結的幾何結構:首先在晶圓表面覆蓋一層稱為抗蝕劑的紫外光(UV)光敏材料,然后在80~100℃的高溫下烘烤晶圓,以便除凈抗蝕劑中的溶劑,從而硬化抗蝕劑,提高其黏附性,最后用UⅤ光源透過有圖形的掩膜對晶圓進行曝光。

   刻蝕主要是用氫氟酸(HF)溶液除去未受保護的sio2層面。離子注入是通過加速雜質離子到高能級,并把它們植入半導體,這樣要用的摻雜物就被引入半導體內,而Sio2用來阻擋摻雜物的擴散或離子注入。金屬化是用化學氣相淀積或者物理氣相淀積方法在晶圓表面形成金屬膜,以實現歐姆接觸和互連。前端工藝常常直接被稱為半導體生產線,是半導體制造過程中最復雜和最關鍵的部分,在300mm晶圓生產線上,有60%以上的設各是采用單晶圓制造技術的集束型裝備,故集束型裝備的產能極大影響著半導體生產線的效率。