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缺陷密度與良率模型

發布時間:2017/11/19 17:21:35 訪問次數:2802

   yicld是一個直觀的工藝成熟度的表征指標.不過在半導體生產制造中.很多時HIF3-2226SCA候直接用yield來評價工藝的好壞有很大的局限性如圖17,4所示,同樣的I藝缺陷,在不同的產品上可能引起不同的yield l°ss。面積大的產品,所受影響會較大,這樣,用yield來衡量不同產品的I藝成熟度就不夠客觀。為此,缺陷密度(defect density,D0)的概念被引人。每單位面積上的缺陷個數,這就是D0的定義,它只和工藝相關,與產品面積無關。注意,這里的缺陷,指的是反映在產品最終電性測試上的失效,并非特指△藝中的物理缺陷(掉落的微粒,wafcr表面的刮傷等)。

   D0可以用于不同產品,不同工藝甚至不同生產線之間的比較,一般單位是個/in2或者個/cm2。

     

 

   yicld是一個直觀的工藝成熟度的表征指標.不過在半導體生產制造中.很多時HIF3-2226SCA候直接用yield來評價工藝的好壞有很大的局限性如圖17,4所示,同樣的I藝缺陷,在不同的產品上可能引起不同的yield l°ss。面積大的產品,所受影響會較大,這樣,用yield來衡量不同產品的I藝成熟度就不夠客觀。為此,缺陷密度(defect density,D0)的概念被引人。每單位面積上的缺陷個數,這就是D0的定義,它只和工藝相關,與產品面積無關。注意,這里的缺陷,指的是反映在產品最終電性測試上的失效,并非特指△藝中的物理缺陷(掉落的微粒,wafcr表面的刮傷等)。

   D0可以用于不同產品,不同工藝甚至不同生產線之間的比較,一般單位是個/in2或者個/cm2。

     

 

相關技術資料
11-19缺陷密度與良率模型
相關IC型號
HIF3-2226SCA
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