MRF437 PN結的單向導電性
發布時間:2019/10/31 18:00:40 訪問次數:1903
MRF437載流子的擴散,在出現了空間電荷區以后,由于正負離子之間的相互作用,在空間電荷區中就形成了一個電場,其方向是從帶正電的N區指向帶負電的P區。由于這個電場是在PN結區內部形成的,而不是外加電壓形成的,故稱為內電場。顯然,這個內電場的方向是阻止載流子擴散運動的。
另一方面,根據電場的方向和電子、空穴的帶電極性還可以看出,這個內電場將使N區的少數載流子空穴向P區漂移,使P區的少數載流子電子向N區漂移,漂移運動的方向正好與擴散運動的方向相反。從N區漂移到P區的空穴補充了原來交界面上P區失去的空穴,而從P區漂移到N區的電子補充了原來交界面上N區所失去的電子,這就使空間電荷減少。因此,漂移運動的結果是使空間電荷區變窄,其作用正好與擴散運動相反。
由此可見,擴散運動和漂移運動是互相聯系又互相對立的,擴散使空間電荷區加寬,電場增強,對多數載流子擴散的阻力增大,但使少數載流子的漂移增強;而漂移使空間電荷區變窄,電場減弱,又使擴散容易進行。當漂移運動和擴散運動相等時,空間電荷區便處于動態平衡狀態,如圖3.2.2所示。空間電荷區也稱為勢壘區①。
PN結的單向導電性,上面討論的PN結處于平衡狀態,稱為平衡PN結。PN結的基本特性――單向導電性只有在外加電壓時才顯示出來。
外加正向電壓,在圖3,23a中,當PN結外加電壓硨,即硨的正端接P區,負端接N區
時,外加電場與PN結內電場方向相反。在這個外加電場作用下,PN結的平衡狀態被打破,P區中的多數載流子空穴和N區中的多數載流子電子都要向
在PN結空間電荷區內,電子要從N區到P區必須越過一個能量高坡.一般稱為勢壘。
二極宮及其基本電路,寫出uo與vn、u12和u13之間的關系式;(2)寫出當電路中電阻R1=R2=R3=R4=R5=R6=R時,輸出電壓vo的表達式。
差分式積分運算電路如圖題24,10所示。設運放是理想的,電容器C上的初始電壓vc(0)=0,且Cl=C2=C,R1=R2=R。若vⅡ、v⒓已知,求當vn=0時,推導vo與v⒓的關系;當v⒓=0時,推導vo與vn的關系;當vⅡ、v⒓同時加人時,寫出矽。與vⅡ、v12的關系式,并說明電路的功能。
微分電路如圖題2.411a所示,輸人電壓vI如圖題2,4.11b所示,設電路R=10kΩ,C=100uF,設運放是理想的,試畫出輸出電壓vo的波形,并標出vo的幅值。
實用微分電路如圖題2,4.12所示,它具有衰減高頻噪聲的作用。(1)確定電路的傳遞函數y。(s)/yi(s);(2)若R1=R2=R,C1=C2=C,試問應當怎樣限制輸人信號矽I的頻率,才能使電路不失去微分的功能?
電路如圖題2.413a所示,A為理想運放,當t=0時,電容器C的初始電壓.
MRF437載流子的擴散,在出現了空間電荷區以后,由于正負離子之間的相互作用,在空間電荷區中就形成了一個電場,其方向是從帶正電的N區指向帶負電的P區。由于這個電場是在PN結區內部形成的,而不是外加電壓形成的,故稱為內電場。顯然,這個內電場的方向是阻止載流子擴散運動的。
另一方面,根據電場的方向和電子、空穴的帶電極性還可以看出,這個內電場將使N區的少數載流子空穴向P區漂移,使P區的少數載流子電子向N區漂移,漂移運動的方向正好與擴散運動的方向相反。從N區漂移到P區的空穴補充了原來交界面上P區失去的空穴,而從P區漂移到N區的電子補充了原來交界面上N區所失去的電子,這就使空間電荷減少。因此,漂移運動的結果是使空間電荷區變窄,其作用正好與擴散運動相反。
由此可見,擴散運動和漂移運動是互相聯系又互相對立的,擴散使空間電荷區加寬,電場增強,對多數載流子擴散的阻力增大,但使少數載流子的漂移增強;而漂移使空間電荷區變窄,電場減弱,又使擴散容易進行。當漂移運動和擴散運動相等時,空間電荷區便處于動態平衡狀態,如圖3.2.2所示。空間電荷區也稱為勢壘區①。
PN結的單向導電性,上面討論的PN結處于平衡狀態,稱為平衡PN結。PN結的基本特性――單向導電性只有在外加電壓時才顯示出來。
外加正向電壓,在圖3,23a中,當PN結外加電壓硨,即硨的正端接P區,負端接N區
時,外加電場與PN結內電場方向相反。在這個外加電場作用下,PN結的平衡狀態被打破,P區中的多數載流子空穴和N區中的多數載流子電子都要向
在PN結空間電荷區內,電子要從N區到P區必須越過一個能量高坡.一般稱為勢壘。
二極宮及其基本電路,寫出uo與vn、u12和u13之間的關系式;(2)寫出當電路中電阻R1=R2=R3=R4=R5=R6=R時,輸出電壓vo的表達式。
差分式積分運算電路如圖題24,10所示。設運放是理想的,電容器C上的初始電壓vc(0)=0,且Cl=C2=C,R1=R2=R。若vⅡ、v⒓已知,求當vn=0時,推導vo與v⒓的關系;當v⒓=0時,推導vo與vn的關系;當vⅡ、v⒓同時加人時,寫出矽。與vⅡ、v12的關系式,并說明電路的功能。
微分電路如圖題2.411a所示,輸人電壓vI如圖題2,4.11b所示,設電路R=10kΩ,C=100uF,設運放是理想的,試畫出輸出電壓vo的波形,并標出vo的幅值。
實用微分電路如圖題2,4.12所示,它具有衰減高頻噪聲的作用。(1)確定電路的傳遞函數y。(s)/yi(s);(2)若R1=R2=R,C1=C2=C,試問應當怎樣限制輸人信號矽I的頻率,才能使電路不失去微分的功能?
電路如圖題2.413a所示,A為理想運放,當t=0時,電容器C的初始電壓.