XC2VP30-6FG676I自鎖螺帽,壓力墊片,自鎖螺帽壓力墊片,接線片遭腐蝕波LV墊片色應之多金屬結棲,防腐蝕螺栓墊片,接線片在標準預裝接地樁的安裝,接線片在1類非密封和1類,密封直接接地樁的安裝,密封劑(確保接線片與結構滿密封劑)連線片螺栓頭,BACJ40C,D,E連接跳線在2類,完全密封直接接地樁的安裝,易爆危險區域的接觸電阻測試儀表,件號生產廠商,螺栓壓力墊片接線片,接線片型血翔,防腐蝕墊片,在1類非密封和6類密封托板螺帽接地樁的安裝接地樁的最大接觸電阻值,如表6-43所示。

非易爆區域接觸電阻測試,在表6-44里選擇推薦的接觸電阻測試儀表。如果使用Model M1毫歐表測量AC和DC回路電流接地,不需要脫開設備插頭;如果使用其他型號毫歐表需脫開設備插頭。 

接地樁最大接觸電阻,非易爆區域的接觸電阻測試儀表

接地樁最大電阻/Ω件號生產廠商,易爆危險區域接觸電阻測試,在易爆危險區域使用毫歐表之前,確保此區域沒有危險蒸氣存在,在表6-45里找到允許使用的毫歐表。

金屬結構 、板螺帽,ssRAM的基本結構.

讀操作時,控制信號和地址輸人在CP的上升沿被取樣,當叢發使能控制ADy和片選CE為低電平時,地址線上的地址被鎖存到地址寄存器中,高電平的WE也被寄存到讀寫控制邏輯電路中。此時,讀寫控制邏輯電路使數據選擇器選擇地址寄存器中的地址進行譯碼,在下一個CP有效沿到來前,存儲陣列中的數據被送到數據線f/o上輸出。操作過程所示。

寫操作與讀操作類似,只是被取樣的WE為低電平。而輸人的數據在接下來的CP上升沿鎖存到輸人寄存器中,同時地址寄存器中的地址又傳至寫地址寄存器中。此時,讀寫控制邏輯電路使數據選擇器選擇寫地址寄存器中的地址進行譯碼,在輸入驅動電路的作用下,將輸人寄存器中的數據寫人存儲陣列。寫操作時,讀寫控制邏輯電路將自動屏蔽輸出使能信號oE,使三態輸出緩沖器呈現高阻態。操作過程所示。

叢發模式讀寫操作是sSRAM中特有的①。當叢發使能控制且D/為低電平時,A1A。可直接穿過叢發控制邏輯電路,按外部給定的地址進行讀/寫,此時就是上述的一般讀寫操作。但當叢發使能控制ADy為高電平時,地址寄存器不接收外部新地址而保持上一個時鐘周期輸人的地址,在CP下一個上升沿到,不僅SSRAM中有叢發模式,而且sDRAM中也有該模式。

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