過高的升溫和降溫速度損壞PCB和芯片
發布時間:2020/10/9 22:52:49 訪問次數:2158
貼片時必須使BGA芯片上的每一個焊錫球與PCB上每一個對應的焊點對正。
在回流焊過程中，要正確選擇各區的加熱溫度和時間，同時應注意升溫的速度。一般，在100℃前，最大的升溫速度不超過6℃/s，100℃以后最大的升溫速度不超過3℃/s，在冷卻區，最大的冷卻速度不超過6℃/s。
因為過高的升溫和降溫速度都可能損壞PCB和芯片，這種損壞有時是肉眼不能觀察到的。同時，對不同的芯片、不同的焊錫膏，應選擇不同的加熱溫度和時間；對免洗焊膏，其活性低于非免洗焊膏，焊接溫度不宜過高，焊接時間不宜過長，以防止焊錫顆粒的氧化。
在進行PCB設計時，PCB上BGA的所有焊點的焊盤應設計成一樣大，如果某些過孔必須設計到焊盤下面，也應當找合適的PCB廠家，確保所有焊盤大小一致，焊盤上焊錫一樣多且高度一致。
產品種類:MOSFETRoHS: 技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-3通道數量:1 Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續漏極電流:115 mA
制造商:Infineon產品種類:IGBT 模塊RoHS:否商標:Infineon Technologies產品:IGBT Silicon Modules配置:Half Bridge集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V集電極—射極飽和電壓:2.5 V在25 C的連續集電極電流:145 A柵極—射極漏泄電流:400 nA最大工作溫度:+ 150 C封裝 / 箱體:Half Bridge1柵極/發射極最大電壓:20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風格:ScrewPd-功率耗散:700 W工廠包裝數量:10
CH579是集成BLE無線通訊的ARM內核32位微控制器。片上集成低功耗藍牙BLE通訊模塊、以太網控制器及收發器、全速USB主機和設備控制器及收發器、段式LCD驅動模塊、ADC、觸摸按鍵檢測模塊、RTC等豐富的外設資源。
芯片框圖
特點
32位ARM Cortex-M0內核，最高40MHz系統主頻
內置32K SRAM，250KB CodeFlash，2KB DataFlash, 4KB BootLoader，支持ICP、ISP和IAP，支持OTA無線升級
支持藍牙BLE，兼容Bluetooth Low Energy 4.2規范
集成2.4GHz RF收發器和基帶及鏈路控制，單端RF接口，無需外部電感，簡化板級設計，提供協議棧和應用層API
支持3.3V和2.5V電源，范圍2.1V～3.6V, 內置DC/DC轉換，0dBm發送功率時電流6mA
多種低功耗模式：Idle，Halt，Sleep，Shutdown，內置電池電壓低壓監控，最低電流0.2uA
提供10M以太網接口，內置PHY
(素材來源：chinaaet.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
貼片時必須使BGA芯片上的每一個焊錫球與PCB上每一個對應的焊點對正。
在回流焊過程中，要正確選擇各區的加熱溫度和時間，同時應注意升溫的速度。一般，在100℃前，最大的升溫速度不超過6℃/s，100℃以后最大的升溫速度不超過3℃/s，在冷卻區，最大的冷卻速度不超過6℃/s。
因為過高的升溫和降溫速度都可能損壞PCB和芯片，這種損壞有時是肉眼不能觀察到的。同時，對不同的芯片、不同的焊錫膏，應選擇不同的加熱溫度和時間；對免洗焊膏，其活性低于非免洗焊膏，焊接溫度不宜過高，焊接時間不宜過長，以防止焊錫顆粒的氧化。
在進行PCB設計時，PCB上BGA的所有焊點的焊盤應設計成一樣大，如果某些過孔必須設計到焊盤下面，也應當找合適的PCB廠家，確保所有焊盤大小一致，焊盤上焊錫一樣多且高度一致。
產品種類:MOSFETRoHS: 技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-3通道數量:1 Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續漏極電流:115 mA
制造商:Infineon產品種類:IGBT 模塊RoHS:否商標:Infineon Technologies產品:IGBT Silicon Modules配置:Half Bridge集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V集電極—射極飽和電壓:2.5 V在25 C的連續集電極電流:145 A柵極—射極漏泄電流:400 nA最大工作溫度:+ 150 C封裝 / 箱體:Half Bridge1柵極/發射極最大電壓:20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風格:ScrewPd-功率耗散:700 W工廠包裝數量:10
CH579是集成BLE無線通訊的ARM內核32位微控制器。片上集成低功耗藍牙BLE通訊模塊、以太網控制器及收發器、全速USB主機和設備控制器及收發器、段式LCD驅動模塊、ADC、觸摸按鍵檢測模塊、RTC等豐富的外設資源。
芯片框圖
特點
32位ARM Cortex-M0內核，最高40MHz系統主頻
內置32K SRAM，250KB CodeFlash，2KB DataFlash, 4KB BootLoader，支持ICP、ISP和IAP，支持OTA無線升級
支持藍牙BLE，兼容Bluetooth Low Energy 4.2規范
集成2.4GHz RF收發器和基帶及鏈路控制，單端RF接口，無需外部電感，簡化板級設計，提供協議棧和應用層API
支持3.3V和2.5V電源，范圍2.1V～3.6V, 內置DC/DC轉換，0dBm發送功率時電流6mA
多種低功耗模式：Idle，Halt，Sleep，Shutdown，內置電池電壓低壓監控，最低電流0.2uA
提供10M以太網接口，內置PHY
(素材來源：chinaaet.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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公網安備44030402000607
