集電極一發射極擊穿電壓是晶體三極管的一項極限參數。BUc EO是指基極開路時，所允許加在集電極與發射極之間的最大電壓。工作電壓超過BUc EO，三極管將可能被擊穿。

集電極最大電流/CM也是晶體三極管的一項極限參數。CM是指三極管正常工作時，集電極所允許通過的最大電流。三極管的工作電流不應超過/CM。

集電極最大功耗PCM是晶體三極管的又一項極限參數。PCM是指三極管性能不變壞時所允許的最大集電極耗散功率。使用時三極管實際功耗應小于PCM，并留有一定余量，以防燒管。

單結晶體管又稱為雙基極二極管，是一種具有一個PN結和兩個歐姆電極的負阻半導體器件。

單結晶體管可分為N型基極單結晶體管和P型基極單結晶體管兩大類，具有陶瓷封裝和金屬殼封裝等形式。

國產單結晶體管的型號命名由5個部分組成，第一部分用字母“B”表示半導體管，第二部分用字母“T”表示特種管，第三部分用數字“3”表示有3個電極，第四部分用數字表示耗散功率，第五部分用字母表示特性參數分類。

三極籬的特點是具有電流放人作用，即可以用較小的基極電流控制較大的集電極（或發射極）電流，集電極電流是摹極流的p倍。

三極籬的特點是具有電流放人作用，即可MA77以用較小的基極電流控制較大的集電極（或發射極）電流，集電極電流是摹極流的p倍。

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