ESD附加掩模
發布時間:2012/4/24 19:15:11 訪問次數:1417
在通常CMOS工藝中，淀積完Poly后進行LDD注入，形成的E13003結構如圖2. 64(a)所示。在LDD注入之后生長Spacer(=氧化硅或氮化硅)，然后再進行S、D注入，如圖2. 64(b)所示，由于Spacer的阻擋作用，形成了LDD結構。LDD結構雖然改進了熱載流子效應，但對提高抗ESD能力是非常不利的。
加入ESD版可以改進N管的抗ESD能力。其具體做法是在LDD工藝之后加一層ESD注入，以提高原LDD區域的濃度，形成HDD，如圖2.64(c)和(d)，之后再生長Spacer，生長S、D。
在通常CMOS工藝中，淀積完Poly后進行LDD注入，形成的E13003結構如圖2. 64(a)所示。在LDD注入之后生長Spacer(=氧化硅或氮化硅)，然后再進行S、D注入，如圖2. 64(b)所示，由于Spacer的阻擋作用，形成了LDD結構。LDD結構雖然改進了熱載流子效應，但對提高抗ESD能力是非常不利的。
加入ESD版可以改進N管的抗ESD能力。其具體做法是在LDD工藝之后加一層ESD注入，以提高原LDD區域的濃度，形成HDD，如圖2.64(c)和(d)，之后再生長Spacer，生長S、D。
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