照片6.10是條件FM28V100-TG與照片6.9相同、且信號頻率為10MHz時的波形。

    因為VI為39mVP-P，可知ZI仍為7.5Q左右。
    這樣的共發射極電路的發射極阻抗，在頻率從低頻直至高頻范圍都為數歐的值。所以，如該電路所示，可以將信號直接輸入到發射極上。
    但是，直接輸入到發射極方式的共基極電路，由于電路的輸入阻抗為數歐那樣低的值，所以它通常是難于使用的。為此，除了在高頻范圍，不再使用這個電路。
    在高頻電路中，由于整體的電路阻抗都低，所以輸入阻抗低并不是太大的問題。在輸入端與發射極間插入電阻，電路的增益兢下降，因此仍使用圖6. 14那樣的將信號直接輸入到發射極方式的共基極電路。
    電路的設計方法與通常的共基極放大電路相同。但因為沒有插入發射極電阻，所以電壓增益由所用的晶體管來決定。還有，由于必須在高頻范圍進行工作，所以發射極電流稍稍設定得大一些（通常，發射極電流流得越多，頻率特性變得就越好）。
    耦合電容、基極接地電容和電源的旁路電容等，由于處理的頻率很高，所以使用數值小的。關于電容器的品種，使用的是陶瓷電容。由于電解電容和薄膜電容在高頻范圍的阻抗不變低，所以不在高頻范圍段使用。
    很顯然，由于處理的頻率很高，所以在電路裝配時必須留神。