該電路使用的JFET，如果在IDSS檔上有AM26LV32EIPWR所希望取的值，則不管哪種都可以。在這里，選擇通用N溝JFET、2SK330(東芝)。2SK330的特性表示在表10.1中。

    即使使用P溝的JFET也沒有關系，但此時器件的連接方法為圖10.17(b)所示，要加以注意。
    接著是IDSS檔次的選擇。依照誤差放大器的共射極電路上流動的集電極電流設定值來選擇檔次。在圖10. 16電路中，共發射極電路的集電極電流設定在ImA以上（設定在比輸出晶體管必要的基極電流更大的值），所以IDSS選擇在1.2—3.OmA的Y檔（參考表10.1的IDSS分類）。
    即使在同一個檔中，JFET的IDSS也有分散性。在圖10. 16的電路中，共發射極電路的集電極電流即使是1. 2mA或3.2mA，對電路的工作都沒有影響，是沒有問題的。
    但是，穩流源的電流設定值影響到電路的直流電位和工作點時，就不能使用JFET，而應該使用晶體管的穩流源。
    在該電路中，為了進一步減少輸出的殘留波紋，在誤差放大器上使用的晶體管用^ FE大的超B晶體管2SC3113代替2SC2458即可。由于超p晶體管的h FE大，誤差放大器的裸增益變大，所以殘骼波紋進一步減少。