首先被廣泛采用的CVD是在雙極型器件中硅外延膜的淀積。基本系統的設計仍在使用（9L/圖12. 11）．，基本上是一個水平爐管式的反應爐， AD7549KN但有些顯著的差別。首先，爐管有一個方形的截面。然而，主要的區別還在于加熱的方法和晶圓的托架結構。

   晶圓被排放在一個扁平的石墨層板上，并放置在爐管內。爐管上纏繞著與射頻發生器連接的銅線圈。線圈內傳輸的射頻流經石英管和管內未被加熱的流動氣體傳播，此為冷壁系統。當射頻傳播至石墨托架時，與石墨托架的分子耦合反應，引起石墨的溫度升高。這種加熱方法稱為感應( induction)式。

   托架的熱量以傳導的方式輸送給晶圓，薄膜淀積在晶圓的表面（托架表面也同時被淀積）。該系統存在的一個問題是，在橫向流動的氣流中伴隨著氣流的向下流動。系統需要的是層流氣流，這樣有利于減小渦流。但是，如果晶圓被平放在反應室內，接近晶圓表面的氣流由于反f、\而被損耗，從而導致沿托架方向淀積的薄膜逐漸變薄。該問題可以通過調整石英晶圓托架的傾斜度得到改善（見圖12. 12）。