在水平系統中，對更大直徑的晶圓水平式放置，其裝載密度低，AD7549KP并且更大的晶圓托架也會限制淀積的均勻性。桶式輻射加熱系統（見圖12. 13）解決廠這些問題。該系統的反應室是一種柱狀的不銹鋼桶，在內部表面放置了高密度的石英加熱器。晶圓被放置在石墨的支架上．j該支架向桶的中心方向旋轉。與水平系統相比，旋轉后的晶圓可以有更均勻的薄膜厚度。

   來自燈泡的熱能輻射到晶圓表面，淀積在晶圓表面發生。雖然反應室的壁被部分加熱，但是該系統接近于冷壁系統。直接的熱輻射產生控制良好和生長均勻的薄膜。在熱傳輸系統中，晶圓的加熱從底部開始，當薄膜生長時，晶圓的表面有一些微小

但呵測量的溫度下降。在桶式系統中，晶圓的表面總是面對著光源，這樣可獲取均勻的溫度和薄膜生長速率，

   1987年，應用材料( Applied Material)公詞引入了一種大的桶式系統，應用于更大直徑的晶圓，該系統具有熱感應系統的特點引1，該桶式反應室的主要優勢在于通過每個周期增加晶圓數，提高廠生產效率。該系統廣泛應用在900cC～l250℃范圍內的外延淀積。