研究表明,中等柵壓應力下,氧化層陷阱電荷和界面態的產生是導致NMOs器件性能退化的主導因素。HB04U15S12QC當器件尺寸進入深亞微米節點之后,界面態的產生對NMOs器件性能退化的影響更為顯著。文獻基于電荷泵技術對0.18um NMOSFETs進行熱載流子效應研究,結果表明在最大襯底電流應力條件下并沒有發現氧化層陷阱電荷產生。這說明對于深亞微米NMOs器件來說,界面態的產生是導致NMOS 器件退化的主要因素。

   以NMOSFET為例,溝道處于強反型狀態時,si/s⒑2界面處的界面陷阱很容易俘獲電子,帶上負電,將導致閾值電壓、跨導、飽和漏電流等參數退化。界面態能級分布于禁帶中,假如它們是受主型的,那單位區間內的凈電荷是負的。研究表明,界面陷阱形成的原因是半導體表面存在懸掛鍵。

   對于NMOsFET來說,受主型界面陷阱的產生是引起器件退化的主要原因,界面陷阱主要位于漏端附近很窄的范圍內,將導致局部溝道載流子的密度和遷移率退化。