當對接觸電阻的電遷移進行評價時,設計的開爾文電阻包括兩個“L”型電阻。M0280SJ200其中一個由擴散層構成,另一個由金屬層構成,位于所要測量的接觸區交叉處,使注入電流通過擴散區并從相對金屬端流出,通過這兩個引出測量電壓,以測量接觸電阻。測試時改變電流方向并取平均電壓可以減少熱失調現象。接觸電阻分別有N+區的接觸電阻、蘆區的接觸電和金屬與多晶的接觸電阻。這種結構用于測量接觸電阻與溫度的關系。

    對于接觸電遷移的測試,另一種方法是采用單個接觸鏈的形式。在這種結構中,為了減少結構中的串聯電阻,兩接觸區的間距必須足夠小,金屬引出線部分的尺寸應足夠大,以避免金屬本身的電遷移。該結構具有開爾文結構電壓引出線,此外還有一個襯底的接觸區以檢測結的漏電流,如圖8徹所示。這種結構包含多個接觸孔,各個接觸孔之間通過金屬相連串接而成。實際孔的數目需要根據接觸電阻值的大小確定,接觸孔的數量越多,產生的電壓降越大。

   [1]王志功,陳瑩梅,集成電路設計(第3版).北京:電子工業出版社,⒛13

   [2]李偉華。VLsI設計基礎,北京:電子工業出版社,20O2

   l3]AsTM-F125qM~9釵Rcapprovcd2003) standard0匝dc for Dc 蚯gn of Flat,s“aight-Linc Tcst s位uGturcs for Dctccting ˇΙctallization opcn-Circu⒒ or Rcsistancc-Incrcasc Failure Duc to Elcciom噸ration[MCtricl

   [4]常青,陶華敏,肖山竹,盧煥章.微電子技術概論.北京:國防工業出版衣上, 2oo9

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   [7]http、抵enku.b缸du。con√、汀ew268dc7da26925c52cc5bfd2.html