NMOS晶體管結構如圖9.1所示,由兩個PN結和一個MOs電容組成。M0280SJ250柵極下面的區域是一個電容結構,MOs管的「/特性由該電容結構決定。對于增強型NMOS晶體管,當柵極不加電壓或加負電壓時,柵極下面的區域保持P型導電類型,漏和源之間等效于一對背靠背的二極管。此時,在漏源電極之間加上電源,只有PN結的漏電流產生。

   圖91 blMOs晶體管的基本結構

   當柵極上加上正電壓時,正的柵電壓將排斥柵下P型襯底中的可動電荷、空穴,吸引電子。當柵極上的電壓超過閾值電壓時,在柵極下方的P型區域內會形成電子的強反型層,把同為N型的源、漏擴散區連成一體,形成從漏極到源極的導電溝道,產生NMOS晶體管的卜/特性,如圖9.2所示。額定工作條件下,加在柵電極上的正電壓越高,溝道區的電子濃度越高,導電能力就越好。