在絕大多數應用中,SPT刻蝕等同于siN刻蝕,可以在導體刻蝕機中采用能產t很多聚合物的氟基氣體,如CHFs、CH2F2和CHJF來進行刻蝕。⒏N對氧化物的選擇性必須大于5,以減少氧化物側墻的頂部損失,從而確保對多晶硅柵的有效側墻保護。PI74FCT163244A高壓和零偏置功率是各向同性刻蝕的常用方法,以減小自對準硅化物的損失。在SPT刻蝕中,自對準硅化物的損失需要控制在10%以下。不過,在部分SPT刻蝕中,當工藝時間被用來控制側墻的去除量時,要得到達到目標的剩余⒏N寬度,使用少許的偏置功率是不可避免的。在全SPT刻蝕中,由于稀疏和稠密特征的刻蝕負載,它不可避免地要利用更長的過刻蝕時問來解決這個負載問題,這往往導致嚴重的白對準硅化物損失和更高的方塊電阻。所有這些工 藝的挑戰,需要有突破的SPT。在全SPT刻蝕和部分SPT刻蝕中,分別帶有可灰化部分的重和四重側墻,可以是替換當前NO側墻的有潛力的候選者。舉例來說,四重側墻是由氧化物、可灰化部分、sN層和氧化物組成。對外層的薄氧化層,所用的SPT刻蝕時間很少。