晶片振蕩清洗是一種無接觸和無刷洗去除顆粒技術。超聲發生器一般安裝在清洗槽的底部或側面,S912XD64F2MAA在超聲清洗時,晶片浸泡在施以10~100kHz的溶液中,高頻能量傳遞產生壓力波,進而在溶液里產生微小泡泡,這些泡泡快速形成并破滅,產生振蕩波沖擊晶片表面,使顆粒松動并被去除。但副作用是,在清洗過程中,超聲能量傳輸會對膜層產生損害。現在清洗系統常用兆頻聲波(約1000kHz),它的頻率比超聲波高,大的泡泡來不及形成,而且表面損壞現象減少。一組兆聲發生器可產生50~1200W的能量,當聲壓波在液體中傳播時,作用在晶片顆粒上的這些壓力波能快速去除顆粒.如圖9.5所示。兆聲振蕩可用在SC1溶液中,這種合并清洗有更高的去除效率,而且在保持相同去除能力的前提下,sC1的溫度可以降低到35℃以下(45nm I藝以下很多使用25℃)「°。為提高細小顆粒的去除能力,在兆聲槽的超純水中,引人溶解氮氣,去除顆粒效果會更好,且對細線寬損傷較小。這是因為溶解氮氣可吸收能量,緩解兆頻聲波的直接沖擊力,且獲取能量的氮氣,有較強的滲透和解離能力。

   90nm CMOs制程以下,器件朝更高集成度方向發展,線寬越來越小,原來適宜用兆聲波去除顆粒的方法,此時面臨斷線的可能(如主區和多晶硅線),使良率下降。因此應考慮在關鍵的清洗步驟,如淺溝渠隔離刻蝕清洗和柵極刻蝕以后的清洗,不用或慎重使用兆聲波去除顆粒(即使要用,應選低能量的兆聲波)。