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納米集成電路制造工藝

發布時間:2017/10/29 13:11:15 訪問次數:1768

   由于對準記號的信號強度的重要性,而且其受襯底反射率的影響叉比較大,于是,市面A04554上產生了對對準記號信號強度進行模擬的方針運算方法,其中有的精確度還是很高的。如引文和圖7。47(a)、圖7。47(b)所示[6:]。

   影響套刻精度的因素有很多,主要原因是設備漂移以及硅片和對準記號變形。對于離軸對準系統來講,一般由于硅片平臺、鏡頭或者掩膜版平臺的激光干涉計系統(包括激光系統、移動平臺上的平面鏡、空氣壓力傳感系統等等)發生漂移,對準顯微鏡系統相對曝光鏡頭位置發生漂移,還有硅片溫度控制系統(包括平臺冷卻系統)發生漂移。鏡頭漂移主要針對像差的漂移,如低階的二階、三階的畸變:D2x、D2Y、D3x等。而像差的漂移分 為兩部分:長期的漂移和短期的漂移。長期的漂移一般是由于系統在長期使用當中不斷被磨損,老化,如鏡頭經過長期紫外光的沖擊而導致像差變大。一般來講,經過3個月到半年需要對像差、焦距、套刻進行重新調整。短期漂移一般由于某種突發的情況,如光學探測器的沾污(包括測量光強的、測量空間像的元件),平臺反射鏡系統內的應力釋放(如連接、緊固部分)、干涉計激光器光束輸出不穩定、硅片和掩膜版平臺的沾污造成硅片和掩膜版吸附不良等。硅片和對準記號的變形主要是由其他工藝帶來的,如熱過程(thcrmal pr°cess)、化學一機械平坦化I藝。

       

   由于對準記號的信號強度的重要性,而且其受襯底反射率的影響叉比較大,于是,市面A04554上產生了對對準記號信號強度進行模擬的方針運算方法,其中有的精確度還是很高的。如引文和圖7。47(a)、圖7。47(b)所示[6:]。

   影響套刻精度的因素有很多,主要原因是設備漂移以及硅片和對準記號變形。對于離軸對準系統來講,一般由于硅片平臺、鏡頭或者掩膜版平臺的激光干涉計系統(包括激光系統、移動平臺上的平面鏡、空氣壓力傳感系統等等)發生漂移,對準顯微鏡系統相對曝光鏡頭位置發生漂移,還有硅片溫度控制系統(包括平臺冷卻系統)發生漂移。鏡頭漂移主要針對像差的漂移,如低階的二階、三階的畸變:D2x、D2Y、D3x等。而像差的漂移分 為兩部分:長期的漂移和短期的漂移。長期的漂移一般是由于系統在長期使用當中不斷被磨損,老化,如鏡頭經過長期紫外光的沖擊而導致像差變大。一般來講,經過3個月到半年需要對像差、焦距、套刻進行重新調整。短期漂移一般由于某種突發的情況,如光學探測器的沾污(包括測量光強的、測量空間像的元件),平臺反射鏡系統內的應力釋放(如連接、緊固部分)、干涉計激光器光束輸出不穩定、硅片和掩膜版平臺的沾污造成硅片和掩膜版吸附不良等。硅片和對準記號的變形主要是由其他工藝帶來的,如熱過程(thcrmal pr°cess)、化學一機械平坦化I藝。

       

相關技術資料
10-29納米集成電路制造工藝
相關IC型號
A04554
暫無最新型號

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