有選擇地進行剝層分析,稱為樣TJA1055T/3品制備過程。由于半尋體器件封裝材料和多層布線結構的不透明性,對大部分失效分析問題,必須采用解剖分析技術.實現芯片表面和內部的可觀察性和可探測性。IC失效分析樣品制備技術主要包括開封、去鈍化層、去層間介質、去金屬或多晶硅等。為觀察芯片內部缺陷,經常需要采用剖切面技術和染色技術。

   (l)去鈍化層技術:主要有化學方法和等離子體刻蝕或反應離子刻蝕去鈍化層。化學方法簡單,缺點是缺之材料選擇性和各向同性腐蝕;反應離子刻蝕法具有一定的材料選擇性和各向異性腐蝕,分析實驗室多用反應氣體為CF+O去除鈍化層和層間介質。

   (2)為成功到達失效位置.時常需要去除金屬化層,或各種介質層。剖切面技術、研磨和拋光及染色技術等,許多文獻中均洎∷洋盡的報道。