聚焦離子束(RIE),特別是現代IC失效分析實驗審必備的雙束FIB,因其具有定點切割和同步掃描電鏡觀察,金屬、介質沉積功能和增強刻蝕功能,TLC1543CN廣泛用于透射電鏡樣品制備,在線缺陷觀察,線路修補和光刻修補,反應離子刻蝕機(ItIE)用T去鈍化層和l介質層以實現多法金屬化布線結構j小片的可觀察性和。測性。

   反應離子刻蝕技術是等離子體刻蝕技術和濺射劃蝕技術昀合喊・同時具有材料的選擇性和方向性。反應離子刻蝕是在一定反「/腔室巾進衍的.I艾丨i∶離子刻濁的反RⅠ室r作壓強較小約1Ombar,用于增加等離子體的平均白由程和加強刻蝕的方向性:當腔室壓力達到設定壓力時,向反應腔室注反應氣體.有足夠的射頻功率(RIE的射頻頻率為13.56MHz.用以產生強大的電場)作用在上下電極之間・反應腔室形成等離子體。等離子體包括了白由基、帶電離子和電子。由于電場力的作用,在腔室的下電極和上電極之間形成了負電勢差,這時白由基打到樣品表面就產生腐蝕過程,而帶電離子打到樣品表面就產rL轟擊作用,這樣就大大加快了刻蝕的速率。