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UBA3.1C LCR測試儀的測量電路方式

發布時間:2019/12/30 18:49:17 訪問次數:1363

UBA3.1CLCR測試儀的基本原理,不同廠家生產的LCR測試儀,測試原理基本相同。比如,測量電阻的阻值,一般是檢測流過電阻的電流而換算出相應的阻值;而電感和電容,是分別與已知的電容和電感組成的諧振電路,然后再根據諧振頻率計算得出。不同的儀表,只是在測試頻率的高低、測試精度的大小等方面有差別。

LCR測試儀的測量電路方式有串連方式、并連方式和交叉方式三種。串連測量方式主要用于電阻和電容測量;并連測量方式主要用于電感測量;交叉方式主要通過操作儀表按鈕實現電阻和電容使用并連測量方式,電感使用串連測量方式。

如圖4-21所示為Mode1 878 LCR表前面板。

                 

電源鍵,控制儀表ON和OFF,數據保持和進入MAX、MIN、AVG讀數及連接內存,選擇消耗系數⑿)或品質因數(g),選擇實驗頻,當數值顯示時按壓此鍵,同時配合其他方式可以將顯示數值變為零,選擇誤差1%、5%和10,選擇測量電感、電容和電阻,方式選擇人工/自動量程方式,人工方式轉換量程,連接標準的實驗引線、最好使用配公的短的測量引線連按標準的實驗引線,最好使用配套的短的測景引線,Mode1 878 LCR表前面板,LCR測試儀的使用,自動量程方式.

自動量程方式執行自動程序,可以迅速地指示被測元器件的大概參數,但沒有人工量程方式測量出的數值精確。

將被測元件的引線插入儀表的測量插座,選擇實驗頻率1kHz或120Hz(按壓1kHz/120Hz按鍵),儀表自動選擇在最合適的自動量程方式測量。在主LCD上瀆出測量數值,在輔助LCD上讀出電感的Q參數和電容的D參數。

                     

BJT結構上的特點是:基區很薄(微米數量級),而且摻雜濃度很低;發射區和集電區是同類型的雜質半導體,但前者比后者摻雜濃度高很多,而集電區的面積比發射區面積大,因此它們不是電對稱的。三個雜質半導體區域之間形成兩個PN結,發射區與基區間的PN結稱為發射結,集電區與基區間的PN結稱為集電結。c、d分別是NPN型和PNP型BJT的符號,其中發射極上的箭頭表示發射結加正偏電壓時,發射極電流的實際方向。


這與每個PN結的正偏或反偏有關。當BJT用作放大器件時,無論是NPN型還是PNP型,都應將它們的發射結加正向偏置電壓,集電結加反向偏置電壓。下面以NPN管為例,分析在偏置電壓作用下BJT內部載流子的傳輸過程。其結論對PNP管同樣適用,只是兩者偏壓的極性、電流的方向相反。需要說明的是,BJT有三個電極,在放大電路中可有三種連接方式,共基極、共發射極(簡稱共射極)和共集電極,即分別把基極、發射極、集電極作為輸入和輸出端口的共同端。無論是哪種連接方式,要使BJT有放大作用,都必須保證發射結正偏、集電結反偏,而其內部載流子的傳輸過程相同。

                    


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UBA3.1CLCR測試儀的基本原理,不同廠家生產的LCR測試儀,測試原理基本相同。比如,測量電阻的阻值,一般是檢測流過電阻的電流而換算出相應的阻值;而電感和電容,是分別與已知的電容和電感組成的諧振電路,然后再根據諧振頻率計算得出。不同的儀表,只是在測試頻率的高低、測試精度的大小等方面有差別。

LCR測試儀的測量電路方式有串連方式、并連方式和交叉方式三種。串連測量方式主要用于電阻和電容測量;并連測量方式主要用于電感測量;交叉方式主要通過操作儀表按鈕實現電阻和電容使用并連測量方式,電感使用串連測量方式。

如圖4-21所示為Mode1 878 LCR表前面板。

                 

電源鍵,控制儀表ON和OFF,數據保持和進入MAX、MIN、AVG讀數及連接內存,選擇消耗系數⑿)或品質因數(g),選擇實驗頻,當數值顯示時按壓此鍵,同時配合其他方式可以將顯示數值變為零,選擇誤差1%、5%和10,選擇測量電感、電容和電阻,方式選擇人工/自動量程方式,人工方式轉換量程,連接標準的實驗引線、最好使用配公的短的測量引線連按標準的實驗引線,最好使用配套的短的測景引線,Mode1 878 LCR表前面板,LCR測試儀的使用,自動量程方式.

自動量程方式執行自動程序,可以迅速地指示被測元器件的大概參數,但沒有人工量程方式測量出的數值精確。

將被測元件的引線插入儀表的測量插座,選擇實驗頻率1kHz或120Hz(按壓1kHz/120Hz按鍵),儀表自動選擇在最合適的自動量程方式測量。在主LCD上瀆出測量數值,在輔助LCD上讀出電感的Q參數和電容的D參數。

                     

BJT結構上的特點是:基區很薄(微米數量級),而且摻雜濃度很低;發射區和集電區是同類型的雜質半導體,但前者比后者摻雜濃度高很多,而集電區的面積比發射區面積大,因此它們不是電對稱的。三個雜質半導體區域之間形成兩個PN結,發射區與基區間的PN結稱為發射結,集電區與基區間的PN結稱為集電結。c、d分別是NPN型和PNP型BJT的符號,其中發射極上的箭頭表示發射結加正偏電壓時,發射極電流的實際方向。


這與每個PN結的正偏或反偏有關。當BJT用作放大器件時,無論是NPN型還是PNP型,都應將它們的發射結加正向偏置電壓,集電結加反向偏置電壓。下面以NPN管為例,分析在偏置電壓作用下BJT內部載流子的傳輸過程。其結論對PNP管同樣適用,只是兩者偏壓的極性、電流的方向相反。需要說明的是,BJT有三個電極,在放大電路中可有三種連接方式,共基極、共發射極(簡稱共射極)和共集電極,即分別把基極、發射極、集電極作為輸入和輸出端口的共同端。無論是哪種連接方式,要使BJT有放大作用,都必須保證發射結正偏、集電結反偏,而其內部載流子的傳輸過程相同。

                    


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