UC3584DW對于帶有絕緣筒的拼接管在放置導線時,如圖6-249所示,確保從拼接管的觀察孔里看到導線的芯線,芯線頂到拼接管止位且不能超過止位;導線的絕緣層插人拼接管的絕緣筒,但不能進入拼接管的壓線筒。如果導線絕緣層直徑超過拼接管絕緣筒的直徑,但在拼接管的絕緣直徑之內,導線絕緣層的末端與絕緣筒的最大距離是0.13in,如圖6-250所示。

芯線止壓線筒，導線絕緣末端芯線末,拼接符絕緣,有絕緣筒的拼接管中導線的位置.

最大0.13in芯線止位觀察孔,壓線筒導線絕緣未端,拼接管絕緣,有絕緣筒的拼接管中粗導線的位置.

對于沒有絕緣筒的拼接管在放置導線時,AWG 10號線及更細的導線和AWG8號線及更粗的導線絕緣層的末端與壓線筒的最大距離有所不同,如圖6-251所示。

位幻觀察孔導線絕緣末端壓線簡末端,無絕緣筒的拼接管中導線的位置

高振動區域導線修理,高振動區域的導線需要進行永久性修理,修理時選取密封拼接管,如圖6-252、圖6-253和表6-19所示,這種施工方法也適用于經常接觸到水的增壓區域損傷導線的修理,由于拼接管的材料和熱縮套管的溫度等級限制,不適用于高溫區域損傷導線修理。

導線封嚴環三根導線的,繁體封嚴環熱縮會管,對接拼接管熱縮套管,對接拼接管和更細的導線最大0.1 3in,AWG8和史粗的導線最大0.25in,Q顏色帶側的導線封嚴環,顏色帶二根導線黃色帶封嚴環,黃顏色帶連接一根導線的密封拼接管器材包,連接三根導線的密封拼接管器材包.

DRAM操作定時圖,(a)讀、寫操作 (b)頁模式讀操作(0E=0) (c)RAs只刷新操作(CAs=7E=1)Cms先于R/4S有效的刷新操作,執行該操作時,CAs首先變為低電平,然后RAS變為低電平。此時,DRAM內部的刷新控制及定時電路,控制刷新計數器連續生成刷新地址進行刷新操作。

一般的DRAM每行刷新的間隔時間為15.6 us(目前也有7.8 us的),典型的刷新操作時間小于100 ns。刷新時間只占刷新周期的0.64%,所以DRAM用于讀寫操作的時間實際上超過99%。

與SRAM的發展類似,DRAM也有同步DRAM(SDRAM)、雙倍數據傳輸率DRAM(DDR SDRAM)和四倍數據傳輸率DRAM(QDR SDRAM)。

由于DRAM的存儲單元結構簡單,其集成度遠高于SRAM,最大容量已達1 Gbit,時鐘最高工作頻率達250 MHz。所以同等容量情況下,DRAM更廉價。

目前,DDR SDRAM已成為個人電腦的主流內存。其改進型DDR ⅡSDRAM將很可能成為下一個主流內存。為幾種DRAM產品,幾種DRAM產品.

存儲容量的擴展,目前,盡管各種容量的存儲器產品已經很豐富,且最大容量已達1 Gbit以上,用戶能夠比較方便地選擇所需要的芯片。但是,只用單個芯片不能滿足存儲容量要求的情況仍然存在。個人電腦中的內存條就是一個典型的例子,它由焊在一塊印制電路板上的多個芯片組成。此時,便涉及存儲容量的擴展問題。

擴展存儲容量的方法可以通過增加字長(位數)或字數來實現。

字長(位數)的擴展,通常RAM芯片的字長為1位、4位、8位、16位和32位等。當實際的存儲器系統的字長超過RAM芯片的字長時,需要對RAM實行位擴展。

位擴展可以利用芯片的并聯方式實現,即將RAM的地址線、讀/寫控制線和片選信號對應地并聯在一起,而各個芯片的數據輸人/輸出端作為字的各個位線。如圖所示,用4個4K×4位RAM芯片可以擴展成4K×16位的存儲系統,字數的擴展.

字數的擴展可以利用外加譯碼器控制存儲器芯片的片選使能輸人端來實現。例如,利用2線-4線譯碼器74139將4個8K×8位的RAM芯片擴展為32K×8位的存儲器系統。擴展方式所示,圖中,存儲器擴展所

要增加的地址線我4、A與譯碼器的74139的輸人相連,譯碼器的輸出y2~y3分別接至4片RAM的片選信號控制端CE。這樣,當輸入一個地址碼(代4~14)時,只有一片RAM被選中,從而實現了字的擴展。