VI-263-IVDRAM存儲單元所示的SRAM存儲單元由6個MOs管構成,所用的管子數目多、功耗大,集成度受到限制,動態隨機存取存儲器DRAM克服了這些缺點。DRAM的存儲單元由一個MOs管和一個容量較小電容器構成,

點畫線框內所示。它存儲數據的原理是電容器的電荷存儲效應。當電容C充有電荷、呈現高電壓時,相當于存有1值,反之為0值。MOs管T相當于一個開關,當行選擇線為高電平時,T導通,C與位線連通,反之則斷開。由于電路中存在漏電流,電容器上存儲的數據(電荷)不能長久保存,因此必須定期給電容補充電荷,以免存儲數據丟失,這種操作稱為刷新①或再生。寫操作時,行選線X為高電平,T導通,電容器C與位線B連通。同時讀寫控制信號WE為低電平,輸入緩沖器被選通,數據D1經緩沖器和位線寫人存儲單元(外部輸入/輸出引腳上的數據經列選通電路送至D1。圖中未畫列選通電路)。如果D1為1,則向電容器充電,反之電容器放電。未選通的緩沖器呈高阻態。

讀操作時,行選線X為高電平,T導通,電容器C與位線B連通。讀寫控制WE為高電平,輸出緩沖器/靈敏放大器被選通,C中存儲的數據通過位線和緩沖器輸出D。再經列選通電路送至最終的輸出引腳)。由于讀出時會消耗C中的電荷,存儲的數據被破壞,故每次讀出后,必須及時對讀出單元刷新,即此時刷新控制R也為高電平,則讀出的數據又經刷新緩沖器和位線對電容器C進行刷新。

刷新R行選線X,讀/寫刃百輸入緩沖器,儲元存單位線BDI隨視存取存儲器.

動態存儲單元及基本操作原理,除了讀、寫操作可以對存儲單元進行刷新外,刷新操作也可以通過只選通行選線來實現。例如,當行選線X為高電平,且WE亦為高電平時,C上的數據經T到達位線B,然后經輸入緩沖器對存儲單元刷新,此時的刷新是整行刷新。實際上,輸出緩沖器和刷新緩沖器環路構成一正反饋,如果位線為高電平,則將位線電平拉向更高。反之則使位線電平降得更低。

由于存儲單元電容的容量很小,所以在位線容性負載較大時,C中存儲的電荷(C存有1時)可能還未將位線拉至高電平時便耗盡了,由此出現讀出錯誤。為避免出現這種情況,通常在讀之前先將位線電平預置為高、低電平的中間值。這樣,T導通時,根據電容C存儲的是0還是1,會將位線拉向低電平或高電平。位線電平的這種變化經靈敏放大器放大,可以準確得到C所存儲的邏輯值。

DRAM的基本結構和操作時序,由于DRAM的集成度很高,存儲容量大,因此需要較多的地址線。為減少引線數目,DRAM大都采用行、列地址分時送入的方法。例如,對于一個1M字的存儲器,有22°個地址,即有20根地址線。采用行、列地址分時送人時,只需要10根地址線。DRAM的基本結構所示,其內部設有行列兩個地址寄存器。行、列地址分別由行地址選通信號RAs①和列地址選通信號CAs②控制,送人各自的寄存器。此外,DRAM內部還設有刷新計數器和刷新控制及定時電路,由此可以自動產生行地址進行刷新。

行地址選通石巒地址月列地址選通C以s數據輸入/輸出J/o,讀/寫萬E輸出使能虧DRAM的基本結構,DRAM的操作方式比SRAM要復雜些,這里只舉出幾種典型操作,讀/寫操作.

讀/寫操作時,首先RAs和CAS先后變為低電平,將行和列地址分別送入相應地址寄存器。然后在讀寫控制信號WE作用下完成讀/寫操作。讀操作時,輸出使能0E應為低電平。操作時序如圖所示。

頁模式操作,所謂“頁”是指同一行的所有列構成的存儲單元。頁模式下的讀寫操作與一般讀寫操作的差別在于不改變行地址,而只改變列地址。但行地址選擇RAS必須始終保持低電平。頁模式可以顯著提高讀寫速度,其讀操作時序所示。

RAs只刷新操作,該操作只刷新行地址指定行的所有存儲單元,不進行任何實際的讀寫操作。在整個操作周期CAs要保持高電平,其時序如圖所示。該操作一次只刷新一行,且需要外部地址計數器提供刷新地址。

系Row Address strobe的縮寫。

系Column Address strobe的縮寫。

主絕緣層絕緣損傷位置,主絕緣層標準線路施工,損傷邊緣最小0.25in,空洞多層薄膜膠帶末端,多層薄膜膠帶,導線絕緣層損傷修理,清潔區域清潔導線損傷區域.

在導線絕緣修理膠帶的每個末端大約0.25in處使用相同溫度等級的扎線進行捆扎,如圖6-248所示。

lin損傷邊緣,第二層薄膜膠帶,多層膠帶末端,第一層薄膜膠帶,導線束捆扎結,多層薄膜膠帶末端,大約0.25in,導線絕緣層損傷修理

增壓區域導線修理,從表6-17和表6-18中選擇需要的絕緣拼接管和拼接管壓接工具。

絕緣對接拼接管件號舉例,CAU范圍供應廠商最小,絕緣對接拼接管壓接工具舉例,壓線筒號壓接工具定位模塊位置絕緣顏色壓線筒號,件號最大有絕緣筒黃色,白色有絕緣筒,紅色有絕緣筒,藍色有絕緣筒,件號基本組件描述.