內部氣氛種類及來源
發布時間:2012/4/25 19:41:21 訪問次數:1576
密封電路內部水汽及殘余氣氛是CY7C63001C-PXC影響密封混合電路質量與可靠性的重要因素之一．是目前國內普遍存在的問題。有關規定或標準對混合集成電路內部水汽含量及其他殘余氣氛含量有較詳細的規定，如不超過5000ppm。
內部氣氛測試的目的，是為了掌握樣品內部水汽及其他氣氛的含量，以便分析樣品的質量和可靠性。測試數據表中水汽及其他氣氛主要有：
(1)水 汽
任何密封電子元器件內部都含有水汽。水汽有3個主要來源：①外殼漏氣部位滲入的水汽。樣品本身氣密性低或有泄漏，密封后空氣進入。這種情況，會伴隨氧氣(Oxygen)和氬氣(Argon)，經過檢漏后，會有氦氣(Helium)和氟碳化合物( Fluorocarbons)。②內部排放的水汽。在物理參數如時間、溫度、壓力作用下發生的化學反應，產生水汽。腔體內各種有機材料、陶瓷、金屬材料表面吸附的水汽和各種高分子粘結材料分子間隙中含有的各種氣體和水汽，隨時間和環境溫度的變化而不斷逸出。有些陶瓷和玻璃封裝，使用干燥空氣作封裝氣體，在高溫作用下，產生氧化反應，出現大量的水汽和二氧化碳。③封蓋操作時，封口箱氣氛中的水汽。這部分水汽含量可能較少。
(2)氮 氣
氮氣是必要的參數。通常采用純氮氣作為封裝保護氣體，氮氣含量應在99%以上。
(3)氧 氣
空氣中的氧氣含量大約在20%。但氧氣是一種易反應的氣體，在高溫條件下，可能使內部材料中碳氫化合物氧化和金屬表面氧化，所以應控制氧含量。混合電路規范中未明確規定氧含量，但在半導體分立器件規范中規定了氧含量不允許超過lOOOppm。
(4)氬 氣
在純氮氣封裝的器件內部氬氣含量應該在500ppm以下，在干燥空氣中，氬氣的含量大約9340ppm。氬氣與氧氣的比例關系可作為判別樣品是否漏氣的參考依據之一。
(5)二氧化碳
通常二氧化碳是封裝內部材料釋放或生成的，它可能是在溫度應力作用下，樣品內部材料中碳氫化合物氧化的產物，二氧化碳的含量從lOOppm到幾個百分點。高含量=氧化碳和水汽，會對暴露的金屬化產生腐蝕。
(6)氫 氣
通常氫氣是低氣壓或封裝后電鍍層金屬表面釋放的氣氛。氫氣含量大于10%表示密封腔體內部壓強較低。氫氣在水汽環境中非常活躍，會生成更多混合氣氛。氫氣對砷化鎵微波器件的可靠性有明顯不良影響，應嚴格控制。
(7)氦 氣
一般氦氣用作檢漏氣體。有氦氣存在并伴隨氟碳化合物、高含量的水汽、氧氣、氬氣，表示樣品存在漏氣現象。有時也用氮氣／氦氣混合作為封裝氣體，氮氣含量應在78%以上。宇航級產品要求封口時，封人10%的氦氣。
(8)其他殘余氣氛
殘余氣氛如甲醇、乙醇、丙酮、甲苯等，通常是有機材料、殘余溶劑、殘余清洗劑等揮發出來的。封口前烘烤工藝的同，揮發釋放的氣體也不同。環氧材料在高溫下會產生氨氣(Ammonia)。這些殘余氣氛在高溫下逐漸分解，與水汽作用后形成高酸或高堿環境，對金屬部位產生腐蝕作用。
水汽等內部殘余氣氛的狀況對電路的性能、壽命和可靠性影響很大，往往容易造成早期失效和性能劣化。主要表現在以下方面：造成內部環境的污染、加速腐蝕作用、形成電路的短路或燒毀、電路參數漂移、低溫性能惡化等。
內部氣氛測試的目的，是為了掌握樣品內部水汽及其他氣氛的含量，以便分析樣品的質量和可靠性。測試數據表中水汽及其他氣氛主要有：
(1)水 汽
任何密封電子元器件內部都含有水汽。水汽有3個主要來源：①外殼漏氣部位滲入的水汽。樣品本身氣密性低或有泄漏，密封后空氣進入。這種情況，會伴隨氧氣(Oxygen)和氬氣(Argon)，經過檢漏后，會有氦氣(Helium)和氟碳化合物( Fluorocarbons)。②內部排放的水汽。在物理參數如時間、溫度、壓力作用下發生的化學反應，產生水汽。腔體內各種有機材料、陶瓷、金屬材料表面吸附的水汽和各種高分子粘結材料分子間隙中含有的各種氣體和水汽，隨時間和環境溫度的變化而不斷逸出。有些陶瓷和玻璃封裝，使用干燥空氣作封裝氣體，在高溫作用下，產生氧化反應，出現大量的水汽和二氧化碳。③封蓋操作時，封口箱氣氛中的水汽。這部分水汽含量可能較少。
(2)氮 氣
氮氣是必要的參數。通常采用純氮氣作為封裝保護氣體，氮氣含量應在99%以上。
(3)氧 氣
空氣中的氧氣含量大約在20%。但氧氣是一種易反應的氣體，在高溫條件下，可能使內部材料中碳氫化合物氧化和金屬表面氧化，所以應控制氧含量。混合電路規范中未明確規定氧含量，但在半導體分立器件規范中規定了氧含量不允許超過lOOOppm。
(4)氬 氣
在純氮氣封裝的器件內部氬氣含量應該在500ppm以下，在干燥空氣中，氬氣的含量大約9340ppm。氬氣與氧氣的比例關系可作為判別樣品是否漏氣的參考依據之一。
(5)二氧化碳
通常二氧化碳是封裝內部材料釋放或生成的，它可能是在溫度應力作用下，樣品內部材料中碳氫化合物氧化的產物，二氧化碳的含量從lOOppm到幾個百分點。高含量=氧化碳和水汽，會對暴露的金屬化產生腐蝕。
(6)氫 氣
通常氫氣是低氣壓或封裝后電鍍層金屬表面釋放的氣氛。氫氣含量大于10%表示密封腔體內部壓強較低。氫氣在水汽環境中非常活躍，會生成更多混合氣氛。氫氣對砷化鎵微波器件的可靠性有明顯不良影響，應嚴格控制。
(7)氦 氣
一般氦氣用作檢漏氣體。有氦氣存在并伴隨氟碳化合物、高含量的水汽、氧氣、氬氣，表示樣品存在漏氣現象。有時也用氮氣／氦氣混合作為封裝氣體，氮氣含量應在78%以上。宇航級產品要求封口時，封人10%的氦氣。
(8)其他殘余氣氛
殘余氣氛如甲醇、乙醇、丙酮、甲苯等，通常是有機材料、殘余溶劑、殘余清洗劑等揮發出來的。封口前烘烤工藝的同，揮發釋放的氣體也不同。環氧材料在高溫下會產生氨氣(Ammonia)。這些殘余氣氛在高溫下逐漸分解，與水汽作用后形成高酸或高堿環境，對金屬部位產生腐蝕作用。
水汽等內部殘余氣氛的狀況對電路的性能、壽命和可靠性影響很大，往往容易造成早期失效和性能劣化。主要表現在以下方面：造成內部環境的污染、加速腐蝕作用、形成電路的短路或燒毀、電路參數漂移、低溫性能惡化等。
密封電路內部水汽及殘余氣氛是CY7C63001C-C影響密封混合電路質量與可靠性的重要因素之一．是目前國內普遍存在的問題。有關規定或標準對混合集成電路內部水汽含量及其他殘余氣氛含量有較詳細的規定，如不超過5000ppm。
內部氣氛測試的目的，是為了掌握樣品內部水汽及其他氣氛的含量，以便分析樣品的質量和可靠性。測試數據表中水汽及其他氣氛主要有：
(1)水 汽
任何密封電子元器件內部都含有水汽。水汽有3個主要來源：①外殼漏氣部位滲入的水汽。樣品本身氣密性低或有泄漏，密封后空氣進入。這種情況，會伴隨氧氣(Oxygen)和氬氣(Argon)，經過檢漏后，會有氦氣(Helium)和氟碳化合物( Fluorocarbons)。②內部排放的水汽。在物理參數如時間、溫度、壓力作用下發生的化學反應，產生水汽。腔體內各種有機材料、陶瓷、金屬材料表面吸附的水汽和各種高分子粘結材料分子間隙中含有的各種氣體和水汽，隨時間和環境溫度的變化而不斷逸出。有些陶瓷和玻璃封裝，使用干燥空氣作封裝氣體，在高溫作用下，產生氧化反應，出現大量的水汽和二氧化碳。③封蓋操作時，封口箱氣氛中的水汽。這部分水汽含量可能較少。
(2)氮 氣
氮氣是必要的參數。通常采用純氮氣作為封裝保護氣體，氮氣含量應在99%以上。
(3)氧 氣
空氣中的氧氣含量大約在20%。但氧氣是一種易反應的氣體，在高溫條件下，可能使內部材料中碳氫化合物氧化和金屬表面氧化，所以應控制氧含量。混合電路規范中未明確規定氧含量，但在半導體分立器件規范中規定了氧含量不允許超過lOOOppm。
(4)氬 氣
在純氮氣封裝的器件內部氬氣含量應該在500ppm以下，在干燥空氣中，氬氣的含量大約9340ppm。氬氣與氧氣的比例關系可作為判別樣品是否漏氣的參考依據之一。
(5)二氧化碳
通常二氧化碳是封裝內部材料釋放或生成的，它可能是在溫度應力作用下，樣品內部材料中碳氫化合物氧化的產物，二氧化碳的含量從lOOppm到幾個百分點。高含量=氧化碳和水汽，會對暴露的金屬化產生腐蝕。
(6)氫 氣
通常氫氣是低氣壓或封裝后電鍍層金屬表面釋放的氣氛。氫氣含量大于10%表示密封腔體內部壓強較低。氫氣在水汽環境中非常活躍，會生成更多混合氣氛。氫氣對砷化鎵微波器件的可靠性有明顯不良影響，應嚴格控制。
(7)氦 氣
一般氦氣用作檢漏氣體。有氦氣存在并伴隨氟碳化合物、高含量的水汽、氧氣、氬氣，表示樣品存在漏氣現象。有時也用氮氣／氦氣混合作為封裝氣體，氮氣含量應在78%以上。宇航級產品要求封口時，封人10%的氦氣。
(8)其他殘余氣氛
殘余氣氛如甲醇、乙醇、丙酮、甲苯等，通常是有機材料、殘余溶劑、殘余清洗劑等揮發出來的。封口前烘烤工藝的同，揮發釋放的氣體也不同。環氧材料在高溫下會產生氨氣(Ammonia)。這些殘余氣氛在高溫下逐漸分解，與水汽作用后形成高酸或高堿環境，對金屬部位產生腐蝕作用。
水汽等內部殘余氣氛的狀況對電路的性能、壽命和可靠性影響很大，往往容易造成早期失效和性能劣化。主要表現在以下方面：造成內部環境的污染、加速腐蝕作用、形成電路的短路或燒毀、電路參數漂移、低溫性能惡化等。
內部氣氛測試的目的，是為了掌握樣品內部水汽及其他氣氛的含量，以便分析樣品的質量和可靠性。測試數據表中水汽及其他氣氛主要有：
(1)水 汽
任何密封電子元器件內部都含有水汽。水汽有3個主要來源：①外殼漏氣部位滲入的水汽。樣品本身氣密性低或有泄漏，密封后空氣進入。這種情況，會伴隨氧氣(Oxygen)和氬氣(Argon)，經過檢漏后，會有氦氣(Helium)和氟碳化合物( Fluorocarbons)。②內部排放的水汽。在物理參數如時間、溫度、壓力作用下發生的化學反應，產生水汽。腔體內各種有機材料、陶瓷、金屬材料表面吸附的水汽和各種高分子粘結材料分子間隙中含有的各種氣體和水汽，隨時間和環境溫度的變化而不斷逸出。有些陶瓷和玻璃封裝，使用干燥空氣作封裝氣體，在高溫作用下，產生氧化反應，出現大量的水汽和二氧化碳。③封蓋操作時，封口箱氣氛中的水汽。這部分水汽含量可能較少。
(2)氮 氣
氮氣是必要的參數。通常采用純氮氣作為封裝保護氣體，氮氣含量應在99%以上。
(3)氧 氣
空氣中的氧氣含量大約在20%。但氧氣是一種易反應的氣體，在高溫條件下，可能使內部材料中碳氫化合物氧化和金屬表面氧化，所以應控制氧含量。混合電路規范中未明確規定氧含量，但在半導體分立器件規范中規定了氧含量不允許超過lOOOppm。
(4)氬 氣
在純氮氣封裝的器件內部氬氣含量應該在500ppm以下，在干燥空氣中，氬氣的含量大約9340ppm。氬氣與氧氣的比例關系可作為判別樣品是否漏氣的參考依據之一。
(5)二氧化碳
通常二氧化碳是封裝內部材料釋放或生成的，它可能是在溫度應力作用下，樣品內部材料中碳氫化合物氧化的產物，二氧化碳的含量從lOOppm到幾個百分點。高含量=氧化碳和水汽，會對暴露的金屬化產生腐蝕。
(6)氫 氣
通常氫氣是低氣壓或封裝后電鍍層金屬表面釋放的氣氛。氫氣含量大于10%表示密封腔體內部壓強較低。氫氣在水汽環境中非常活躍，會生成更多混合氣氛。氫氣對砷化鎵微波器件的可靠性有明顯不良影響，應嚴格控制。
(7)氦 氣
一般氦氣用作檢漏氣體。有氦氣存在并伴隨氟碳化合物、高含量的水汽、氧氣、氬氣，表示樣品存在漏氣現象。有時也用氮氣／氦氣混合作為封裝氣體，氮氣含量應在78%以上。宇航級產品要求封口時，封人10%的氦氣。
(8)其他殘余氣氛
殘余氣氛如甲醇、乙醇、丙酮、甲苯等，通常是有機材料、殘余溶劑、殘余清洗劑等揮發出來的。封口前烘烤工藝的同，揮發釋放的氣體也不同。環氧材料在高溫下會產生氨氣(Ammonia)。這些殘余氣氛在高溫下逐漸分解，與水汽作用后形成高酸或高堿環境，對金屬部位產生腐蝕作用。
水汽等內部殘余氣氛的狀況對電路的性能、壽命和可靠性影響很大，往往容易造成早期失效和性能劣化。主要表現在以下方面：造成內部環境的污染、加速腐蝕作用、形成電路的短路或燒毀、電路參數漂移、低溫性能惡化等。
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