與時間有關的柵介質擊穿(TDDB)。TCV應包含表征柵氧TDDB的結構。 DAC08EQ應具有表征柵氧面積和周長的測試結構。應使用不同周長的柵結構,以表征柵與源或漏交疊邊界,以及柵與晶體管和晶體管之間隔離氧化層交接邊界的介質特性。應根據工藝允許的最壞情況電壓條件和最薄的柵氧化層厚度確定TDDB的試驗電場強度和溫度加速因子,獲得MTTF和失效分布,從MTTF可以計算TDDB的失效率。

   TCV快速測試結構要求。TCⅤ程序應包括用于評價熱載流子退化的快速可靠性測試結構,以便得到快速測量與加速壽命試驗結構之間的關系。

   歐姆接觸退化。TCV應具有在某一溫度下評估歐姆接觸隨時間退化的結構,特別是對GaAs器件。

   側柵/背柵。應包括評價GaAsェ藝中FET側柵/背柵效應的結構。

   柵下沉。柵下沉退化機理和其他溝道退化機理的FET結構。

   快速試驗可靠性結構包括熱載流子退化、電遷移、TDDB、接觸電阻和柵擴散。晶圓驗收程序的外觀檢查應包括GJB548方法2018闡述的主要項目(如金屬化、臺階覆蓋)。